導(dǎo)讀：集微網(wǎng)消息，日經(jīng)中文網(wǎng)8日?qǐng)?bào)道，日本大阪大學(xué)、三重大學(xué)、美國(guó)康奈爾大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出用于6G的半導(dǎo)體成膜技術(shù)。 據(jù)悉，研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管（HEMT）制造技術(shù)。原來(lái)在成膜過(guò)程中氮化鋁表面發(fā)生氧化，由此產(chǎn)生的氧雜...
集微網(wǎng)消息，日經(jīng)中文網(wǎng)8日?qǐng)?bào)道，日本大阪大學(xué)、三重大學(xué)、美國(guó)康奈爾大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出用于“6G”的半導(dǎo)體成膜技術(shù)。
據(jù)悉，研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管（HEMT）制造技術(shù)。原來(lái)在成膜過(guò)程中氮化鋁表面發(fā)生氧化，由此產(chǎn)生的氧雜質(zhì)改變氮化鋁的結(jié)晶，難以獲得高導(dǎo)電性。通過(guò)形成非常薄的鋁膜，還原表面的氧化膜，并使其揮發(fā)。由此，將導(dǎo)電性提高到原來(lái)的34倍。
其特點(diǎn)是不需要使用價(jià)格高的氮化鋁基板，可以在直徑約5厘米的較大藍(lán)寶石基板上實(shí)現(xiàn)這一構(gòu)造。由于這次是利用研究用的方法成膜，研究小組計(jì)劃換成更實(shí)用的方法，在1年內(nèi)試制出高電子遷移率晶體管。（校對(duì)/韓秀榮）
