導(dǎo)讀：據(jù)日媒報道，鎧俠7月將在四日市工廠開始量產(chǎn)其最先進(jìn)的218層 3D NAND Flash，與現(xiàn)行品相比，存儲容量提高約50%、寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。鎧俠產(chǎn)線稼動率已在6月回升至100%。
鎧俠此前曾宣布，將攜手西部數(shù)據(jù)投資7,290億日圓量產(chǎn)先進(jìn)存儲產(chǎn) ......
據(jù)日媒報道，鎧俠7月將在四日市工廠開始量產(chǎn)其最先進(jìn)的218層 3D NAND Flash，與現(xiàn)行品相比，存儲容量提高約50%、寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。鎧俠產(chǎn)線稼動率已在6月回升至100%。
鎧俠此前曾宣布，將攜手西部數(shù)據(jù)投資7,290億日圓量產(chǎn)先進(jìn)存儲產(chǎn)品，位于北上工廠廠區(qū)內(nèi)的新廠房將在2025年運轉(zhuǎn)。據(jù)鎧俠近日公布的NAND Flash路線圖顯示，到2027年將實現(xiàn)3D NAND 1000層堆疊，這一新時間表比計劃提前了四年多。NAND 技術(shù)的進(jìn)步將對包括人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費電子在內(nèi)的各個領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，推動數(shù)據(jù)存儲解決方案的未來。
