導(dǎo)讀：臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》消息，臺積電在次世代MRAM內(nèi)存相關(guān)技術(shù)傳捷報(bào)，與工研院共同開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性內(nèi)存（SOT-MRAM）陣列芯片，搭配創(chuàng)新的運(yùn)算構(gòu)架，功耗僅其他類似技術(shù)的1%，為臺積電搶攻AI、高效能運(yùn)算（HPC）等當(dāng)紅商機(jī)增添動能。...
臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》消息，臺積電在次世代MRAM內(nèi)存相關(guān)技術(shù)傳捷報(bào)，與工研院共同開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性內(nèi)存（SOT-MRAM）陣列芯片，搭配創(chuàng)新的運(yùn)算構(gòu)架，功耗僅其他類似技術(shù)的1%，為臺積電搶攻AI、高效能運(yùn)算（HPC）等當(dāng)紅商機(jī)增添動能。
